电阻接地状态下星用电路板深层充电仿真方法

• 作者: 王建昭 蔡震波 陈鸿飞
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 航空航天
• 关键词: 深层充电 接地电阻 MonteCarlo方法 有限元方法 Geant4
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 258-264
• 页数: 7页
• 分类号: V542
• 字数: 4340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2017.03.006

摘要

文章基于Monte Carlo方法和有限元方法,对双层和4层电路板覆铜层通过电阻接地时的深层充电进行仿真分析,详细讨论了空间各向同性电子通量模型、电路板背面和中间覆铜层分别通过电阻接地时的计算方法和边界条件,以及不同接地条件下有限元矩阵方程的建立;最终定量计算了电阻阻值对电路板充电结果的影响.仿真结果表明,较之完全接地情况,通过电阻接地会增加充电电场和电势,最大电势深度也相应变化;电阻接地层电势和阻值呈线性关系;当接地电阻为109?量级及以下时,其对深层充电的影响可以忽略,验证了NASA-HDBK-4002A手册中设计指南的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鸿飞	北京大学空间物理与应用技术研究所	28	67	4.0	6.0