InP基PIN开关二极管结构设计与制备

• 作者: 孙晓玮 孙浩 张祁莲 赵艺丹
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: PIN 开关二极管 InP Ⅳ特性 物理模型
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN313
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-7300.2017.11.005

摘要

开关二极管是微波控制电路中的一种应用最普遍的控制器件,它可以实现近似短路和开路的功能.Ⅰ层厚度对PIN二极管的器件特性具有重要的影响.利用Silvaco TCAD软件对InP基PIN开关二极管器件结构进行建模仿真,分析不同1区厚度对二极管的电流电压特性的影响,得出最优值.利用化合物半导体材料外延与器件工艺平台,制备出InP基PIN开关二极管器件,直流特性测试结果表明,PIN开关二极管的开启电压为0.525 V,反向击穿电压大于12 V.为进一步实现毫米波开关电路奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
2	孙浩	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	29	72	4.0	6.0
3	张祁莲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	2	3	1.0	1.0
4	赵艺丹	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	1	1	1.0	1.0