简易化学水浴法制备SnO2/p-Si异质结光电性能

• 作者: 何波 宁欢颇 张建成 张磊 徐静 秦玉明 赵磊 邢怀中
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SnO2薄膜 化学水浴法 异质结 Ⅰ-Ⅴ曲线
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 139-143
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.02.003

摘要

通过一种简易化学水浴法将SnO2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO2薄膜的微结构、光学和电学性能,对SnO2/p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线进行测试并分析,获得明显的光电转换特性.