非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究

• 作者: 井娥林 宗波 徐骏 王昊 窦如凤 董恒平 郭燕 陈坤基
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 a -SiNx:O薄膜 N-Si -O键 缺陷态
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 硅基纳电子和光电子专栏
• 页码范围: 392-398
• 页数: 7页
• 分类号: TM23|TN383+.2
• 字数: 3171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2017.03.002

摘要

在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiNx∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH4)和氨气(NH3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79 eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65 eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiNx∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移.