配位键驱动的多卟啉阵列结构在纳米SiO2表面的组装及光电性能

• 作者: 何文莉 钱东金 陈萌
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 多卟啉阵列 杂化材料 层层自组装 光电流 光致变色
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 物理化学
• 页码范围: 1654-1662
• 页数: 9页
• 分类号: O647
• 字数: 7184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7503/cjcu20160840

摘要

制备了吡啶功能化的纳米二氧化硅(nanoSiO2 BPy),并利用配位键驱动的层层自组装技术,以四吡啶基锌卟啉(ZnTPyP)为链接单元,在nanoSiO2BPy表面构筑了含有(Pd/ZnTPyP)n多卟啉阵列结构的有机-无机杂化材料.利用热重、紫外-可见吸收光谱和X射线光电子能谱跟踪分析了nanoSiO2BPy@(Pd/ZnTPyP)n杂化材料的组装过程.结果表明,nanoSiO2BPy@(Pd/ZnTPyP)3杂化材料在150～450℃升温区间内质量损失17％,可归结为组装在纳米SiO2表面的多卟啉阵列和少量有机物的热分解.紫外-可见和荧光光谱表明,在nanoSiO2BPy@(Pd/ZnTPyP)n杂化材料中,锌卟啉Soret带的吸收峰出现在426 nm处,其Q带的荧光发射峰出现在605和655 nm处,荧光寿命约为1.78 ns,光谱数据均与锌卟啉在稀的二甲亚砜溶液中的结果接近,表明组装在nanoSiO2 BPy表面的锌卟啉环之间相互作用较弱,没有形成聚集体.场发射透射电镜照片显示,由于Pd/ZnTPyP的组装,nanoSiO2BPy@(Pd/ZnTPyP)3杂化材料的平均直径由原料的10～16 nm增加到15～20 nm.杂化材料修饰电极的循环伏安曲线在-0.6～-2.4 V(vs.Ag/AgCl)范围内出现了2对不可逆的氧化还原峰,归属于卟啉被氧化的电子转移过程.探讨了nanoSiO2BPy@(Pd/ZnTPyP)n杂化材料作为光敏剂在光电转换、光催化乙基紫精的还原和显色方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱东金	复旦大学化学系	7	4	1.0	1.0
2	陈萌	复旦大学化学系	9	18	3.0	4.0
3	何文莉	复旦大学化学系	1	0	0.0	0.0