PS-VA模式中RM残留量对信赖性的影响

• 作者: 李正强 梁瑞祥 池宝林 温刚 舒克伦 贵丽红 赵国 高红茹
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: PS-VA 残像 RM残留量 离子浓度 液晶
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 799-803
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173210.0799

摘要

PSVA技术已经广泛应用于电视技术,但是残像问题仍然没有解决,为了改善PS-VA电视屏的IS表现,本文通过UV1和UV2制程影响RM来研究RM的残留量与IS表现的关系,结果表明RM残留量和IS有很强的相关性.众所周知,离子浓度是IS问题的关键因素,基于分析RM残留量和离子浓度的关系,我们开了一种改善PS-VA模式IS问题的新技术,另外,本文提出通过设计新的母体混晶材料,使PS-VA制程后液晶具有更低RM残留量来改善IS问题,同时通过大量的测试数据验证改善效果,其中离子浓度由Toyo6254测试,通过SEM和AFM来分析表面形态.