Cu、N空位对Cu3N的电子结构、电学和光学性能影响的第一性原理研究

• 作者: 任达华 李兴鳌 李强 杨永明 谭兴毅
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 空位Cu3N 电子结构 电学性质 光学性质
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 769-773
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 3332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2017.04.029

摘要

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能.研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和N空位体系的禁带宽度均大于Cu3N体系,说明实验中制备的Cu3N有时表现为绝缘体的可能原因为体系中存在Cu空位或N空位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨永明	湖北民族学院理学院	21	20	2.0	3.0
2	李兴鳌	南京邮电大学理学院	43	201	6.0	13.0
3	谭兴毅	湖北民族学院理学院	29	44	4.0	4.0
4	李强	湖北民族学院理学院	22	24	3.0	3.0
5	任达华	湖北民族学院理学院	8	5	1.0	2.0