N空位对Cu掺杂AlN电磁性质的影响的第一性原理研究

• 作者: 王腊节 聂招秀
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: N空位 Cu掺杂AlN 电子结构 铁磁性 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 299-304
• 页数: 6页
• 分类号: O482.54
• 字数: 2571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2013.02.021

摘要

利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了N空位对Cu掺杂AlN的电子结构和磁学性质的影响.结果表明,与Cu最近邻的N原子更易失去形成N空位.N空位的引入减小了Cu掺杂AlN体系的半金属能隙；减弱了Cu及其近邻N原子的自旋极化的强度以及Cu3d与N2p轨道间的杂化,因而减小了体系的半金属铁磁性.因此,制备Cu掺杂AlN稀磁半导体时应尽可能地避免N空位的产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂招秀		8	7	2.0	2.0
2	王腊节	南昌航空大学科技学院	1	2	1.0	1.0