低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计

• 作者: 杨骏 袁甲 陈铖颖 陈黎明
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 人工耳蜗 低电压 超低功耗 统计静态时序分析 超大规模集成电路(VLSI)
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 信息科学
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.13245/j.hust.170901

摘要

基于台积电TSMC 0.35μm 3.3 V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3 V降至2.0 V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨骏	中国科学院微电子研究所	7	39	3.0	6.0
2	袁甲	中国科学院微电子研究所	16	33	3.0	4.0
3	陈铖颖	厦门理工学院光电与通信工程学院	20	14	2.0	2.0
4	陈黎明	厦门理工学院光电与通信工程学院	6	5	1.0	2.0