SiC特性分析仿真及其在移动储能电站的应用

• 作者: 冯天宇 李多辉 王超 罗红斌 薛程升 邓林旺 邹德天
• 来源期刊: 储能科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 第三代半导体材料 移动储能电站 功率密度 效率 仿真
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 特约文章
• 页码范围: 1105-1113
• 页数: 9页
• 分类号: TM53
• 字数: 4968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12028/j.issn.2095-4239.2017.0137

摘要

以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料由于其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度高等特性,在光电子领域及高频大功率应用上倍受青睐.本文对比了SiC和Si的物理结构和电气特性,并选取了两款MOSFETs,在实验室中用Saber仿真了它们在电路中的损耗,结果显示SiCMOSFETs平均损耗比Si MOSFETs低30％～48％.最后,讨论了SiC器件在光电子、太阳能逆变器和移动储能电站中的应用,并且在实验室中测试、分析了两台来自不同厂家的样机,实验结果显示,SiC系统比Si系统运行温度降低50％～60％,损耗降低11％,整机效率提高2.68％,功率密度由约0.46 kW/L提高到0.90 kW/L.说明SiC能够大幅提升系统的效率和功率密度,因其巨大的潜力,未来有望将工作频率提升至500 kHz以上,将系统功率密度提升至现有产品的5～10倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王超		2	7	1.0	2.0
2	罗红斌		2	6	1.0	2.0
3	邓林旺		2	6	1.0	2.0
4	薛程升		1	1	1.0	1.0
5	李多辉		1	1	1.0	1.0
6	冯天宇		2	6	1.0	2.0
7	邹德天		1	1	1.0	1.0