氩等离子体处理增强TiO2∶Er/p+-Si异质结器件的电致发光

• 作者: 朱辰 杨德仁 马向阳 高志飞
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电致发光 硅基器件 TiO2∶Er薄膜 Ar等离子体处理
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 524-527,533
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|TN304
• 字数: 3534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.04.002

摘要

在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p+-Si)上掺Er的TiO2(TiO2∶Er)薄膜的TiO2∶Er/p+-Si异质结器件的电致发光.本文研究了TiO2∶ Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO2 ∶Er/p+-Si异质结器件电致发光的影响.研究发现:Ar等离子体处理使TiO2∶Er/p+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO2基体中氧空位相关的电致发光.这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	朱辰	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	25	3.0	4.0
4	高志飞	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0