化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究

• 作者: 洪玮 陈程
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 碱腐蚀 反射率 减反结构 腐蚀液
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 272-275
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.02.002

摘要

单晶硅片在碱溶液中的腐蚀会引起表面结构的变化,利用紫外可见分光光度计测量硅片表面反射率,发现碱溶液的浓度、腐蚀时间、添加剂的选择(无水乙醇或异丙醇)以及添加剂的浓度均对硅片表面反射率有影响.比较几个因素发现碱溶液的浓度和腐蚀时间对硅片表面反射率影响最大.当腐蚀温度为80 ℃,NaOH固体浓度为15 g/L,添加剂无水乙醇体积分数10%时,腐蚀30 min得到硅片反射率最低,达到11.15%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪玮	南京理工大学电子工程与光电技术学院微纳研究所	4	3	1.0	1.0
2	陈程	南京理工大学电子工程与光电技术学院微纳研究所	3	3	1.0	1.0