CMOS图像传感器像素区离子注入角度与图像延迟关系的研究

• 作者: 牛健 王劲松 田三河
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 图像延迟 TX器件(传输门晶体管) 离子注入角度
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 计算机科学
• 页码范围: 172-173
• 页数: 2页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 1887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-4706.2017.01.070

摘要

图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数.在像素隔离区域中,不同的离子注入角度会对电路中TX器件(传输门晶体管)的电性参数造成影响,并将会导致产品图像的延迟.由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之内离子注入角度的不同,本文通过针对像素隔离区域不同的离子注入角度对图像延迟的关系进行研究,优化了离子注入的角度均匀性,改善在同一片晶圆之内图像延迟的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王劲松		1	0	0.0	0.0
2	牛健		2	0	0.0	0.0
3	田三河		1	0	0.0	0.0