AlxGa1-xSb三元混晶电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 梁希侠 毛青琴 王舒东 赵国军
• 来源期刊: 中国科技论文
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 三元混晶 AlxGa1-xSb 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2017,（17）
• 页码范围: 2008-2011,2017
• 页数: 5页
• 分类号: O471.3
• 字数: 3006字
• 语种: 中文

摘要

为更加深入地了解混晶效应对半导体材料性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿结构三元混晶Alx Ga1-x Sb(0≤x≤1)的电子结构和光学性质.通过对不同Al组分三元混晶Alx Ga1-x Sb的总能量与形成能的计算比较,获得了稳定结构Alx Ga1-x Sb的晶格常数,同时计算了Alx Ga1-x Sb在不同Al组分的电子结构,讨论了带隙、能带结构和态密度等随Al组分的变化规律.计算结果表明:混晶的带隙随Al组分的增加而增大;能带结构由下、中、上价带和导带4个部分构成,给出了晶格常数、带隙随Al组分变化的拟合公式;计算了Alx Ga1-x Sb材料的复介电函数、高频/静态介电常数和吸收光谱随Al组分的变化情况,发现高频与静态介电常数随Al组分增加而降低,吸收光谱发生蓝移,与实验观测值和其他的理论结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁希侠	内蒙古大学物理科学与技术学院	31	64	5.0	6.0
2	赵国军	内蒙古大学物理科学与技术学院	6	6	1.0	2.0
3	王舒东	内蒙古大学物理科学与技术学院	3	1	1.0	1.0
4	毛青琴	内蒙古大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0