绝缘层上锗(GOI)材料的表征测试

• 作者: 阮育娇
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 键合技术 GOI材料 表征 测试
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 111-113
• 页数: 3页
• 字数: 2031字
• 语种: 中文

摘要

晶片键合技术已成为半导体器件制备中的一项重要工艺,目前广泛地应用于SOI(Silicon-on-insulator)、GOI(Germanium-on-insulator)结构以及硅基Ш-V族结构的制备,在硅基光电集成方面具有广阔的应用前景.本文采用键合技术结合智能剥离方法制备了绝缘层上锗(GOI)材料,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描声学显微镜(SAM)、透射电镜(TEM)、以及X射线衍射(XRD)等对GOI的微结构进行了表征和分析.非破坏性的检测方法在键合质量检测上具有重要的应用价值,键合材料表征技术的进步,必将推动键合技术不断向前发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮育娇		11	5	1.0	1.0