浅析PECVD腔室热流场数值仿真研究

• 作者: 孙磊
• 来源期刊: 数字化用户
• 关键词: PEVCD 腔室 热流场 仿真
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 工程技术
• 页码范围: 19
• 页数: 1页
• 字数: 1529字
• 语种: 中文

摘要

在薄膜沉积工艺中,沉积薄膜的均匀性与沉积速率主要受到PECVD(等离子辅助化学气相沉积)腔室气流与温度分布特征的影响.因此,仿真研究PEVCD腔室热流场的分布对IC装备(极大规模集成电路制造装备)设计与工艺控制非常重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙磊		2	0	0.0	0.0