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摘要:
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主.其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子.所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布.为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型.通过小于10 nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布.基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型.通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从1016/cm3到1018/cm3)局域电导分布,推导出了其载流子分布.相对误差在30%之内.
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文献信息
篇名 基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 物理学
关键词 载流子浓度 量子阱 扫描分布电阻显微术 肖特基
年,卷(期) 2018,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 668-672
页数 5页 分类号 O469
字数 657字 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈效双 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 53 271 8.0 12.0
2 薛玉雄 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理国家重点实验室 22 63 4.0 6.0
3 杨生胜 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理国家重点实验室 58 120 5.0 7.0
4 黄文超 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理国家重点实验室 1 0 0.0 0.0
5 王晓芳 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 4 0 0.0 0.0
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扫描分布电阻显微术
肖特基
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红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
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3
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28003
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