主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响

• 作者: 俞敏锋 吴郁 崔磊 郭晨 金锐
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率快恢复二极管 过流关断 电阻连接区
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息与控制工程
• 页码范围: 220-224
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.4|TN313+.4
• 字数: 2071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11936/bjutxb2017020040

摘要

针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构的过流关断进行仿真,重点研究不同电阻连接区对器件关断过程的影响.研究结果表明:电阻连接区结构不同可以引发器件不同位置的烧毁,而当电阻连接区增加到一定长度时,可以有效避免器件烧毁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学信息学部	38	215	9.0	13.0
2	金锐	全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室	12	76	3.0	8.0
3	俞敏锋	北京工业大学信息学部	1	6	1.0	1.0
4	郭晨	北京工业大学信息学部	1	6	1.0	1.0
5	崔磊	全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室	1	6	1.0	1.0