二维原子晶体半导体转移技术研究进展

• 作者: 何天应 兰长勇 孙培华 李春 胡晓影
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米材料 二维材料 过渡金属硫化物 干法转移 湿法转移 范德瓦尔斯异质结
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 257-266
• 页数: 10页
• 分类号: O613.5|O614.61
• 字数: 4614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2018.03257

摘要

实现不同基底间高效率、高质量的二维原子晶体转移(即转移技术),是开展二维晶体异质结及柔性器件研究与应用的关键.近年以二硫化钼为代表的过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)二维半导体已成为继石墨烯之后的二维材料研究热点.目前,TMDs常用转移技术主要包括湿法转移、干法转移、热释放胶带辅助、表面能辅助、鼓泡转移以及真空热压法等.这些方法各有利弊:湿法转移成本低、步骤简洁,但依赖聚合物支撑,容易对TMDs造成污染;干法转移借助精密位移技术可实现精准控制,特别适用微晶定位转移,但转移成功率有待提升;热释放胶带巧妙利用金属膜与TMDs二维材料间较强的吸附力,能够在不转移的情况下,直接在原始基底上构造阵列结构,但步骤相对复杂;表面能辅助法利用水在不同界面表面能差异,可实现快速自动剥离,但易引入褶皱;鼓泡转移则是通过电化学或超声方式产生的气泡崩塌使二维材料与基底界面分离,同样材料表面容易产生褶皱和破裂等缺陷;真空热压法在组装高质量、大面积多层异质结方面独具优势.该述评可为恰当选择转移方法提供指引.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春	电子科技大学光电科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
2	胡晓影	电子科技大学光电科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	何天应	电子科技大学光电科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	孙培华	电子科技大学光电科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	兰长勇	电子科技大学光电科学与工程学院	2	0	0.0	0.0