温度对MPCVD法同质外延单晶金刚石缺陷的影响

• 作者: 丁康俊 夏禹豪 宋修曦 耿传文 马志斌
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微波等离子体化学气相沉积 发射光谱 单晶金刚石 缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 8-11,19
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164
• 字数: 3110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2018.2.0002

摘要

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在含有缺陷的单晶金刚石种晶上进行同质外延生长实验,在其他沉积参数保持相同的情况下,研究温度对生长的单晶金刚石缺陷的影响.通过发射光谱、拉曼光谱以及SEM对单晶金刚石进行表征.实验结果表明:单晶金刚石温度越高,金刚石表面的等离子体发射光谱中的谱线强度比值I(C2)/I(Hα)也越高;而电子温度越低,等离子体中粒子间的碰撞更加剧烈.在740 ℃沉积时,单晶金刚石表面会在同质外延生长后出现从缺陷处贯穿的裂痕;在780和820 ℃沉积时,单晶金刚石表面缺陷有被抑制和覆盖的趋势,缺陷面积减小;而在860 ℃沉积时,缺陷面积扩大且凸起更为明显.因此,在适宜温度下生长的单晶金刚石质量较好,金刚石特征峰偏移小、应力较小;温度过高或不足,金刚石特征峰向低波数偏移程度较大,压应力较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马志斌	武汉工程大学材料科学与工程学院	2	12	1.0	2.0
5	丁康俊	武汉工程大学材料科学与工程学院	4	11	2.0	3.0
7	宋修曦	武汉工程大学材料科学与工程学院	4	11	2.0	3.0
9	耿传文		6	7	1.0	1.0
10	夏禹豪	武汉工程大学材料科学与工程学院	5	5	1.0	1.0