温度对GaN(0001)表面生长吸附SrO、BaO和TiO2影响的理论研究

• 作者: 周金君 李来才 杨春 梁晓琴
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 关键词: SrO、BaO和TiO2 GaN(0001) 温度 吸附
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1037-1043
• 页数: 7页
• 字数: 5639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.06.024

摘要

采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了300、400、500、600和700℃下SrO、BaO和TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了温度对原子运动轨迹、吸附能、界面电荷分布、稳定吸附方位和扩散系数的影响.温度不同,O-Ga成键时间不同,SrO分子中的O原子与GaN基底成键的Ga原子不同;TiO2分子中O原子与GaN表面Ga原子成键的顺序也不同.温度对SrO、BaO和TiO2分子在GaN(0001)表面的最终吸附形态和吸附方位有显著的影响.温度对不同吸附体系吸附能的影响也不相同;小分子在GaN(0001)基片表面优先吸附的顺序依次为TiO2、SrO和BaO分子.数据分析显示SrO和BaO分子的最优生长温度是600℃,TiO2分子的最优生长温度是500℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学化学与材料科学学院	89	760	14.0	24.0
2	梁晓琴	四川师范大学化学与材料科学学院	39	149	7.0	10.0
3	李来才	四川师范大学化学与材料科学学院	135	488	10.0	13.0
4	周金君	四川师范大学化学与材料科学学院	3	1	1.0	1.0