CdSe:Nd纳米晶及CdSe:Nd@SiO2核壳结构的合成及发光性能

• 作者: 张高峰 杨峻宏 段军 雍胜利 马学林 高俊芳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: CdSe:Nd纳米晶 掺杂 CdSe:Nd@SiO2纳米球 荧光性质 核壳
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1260-1267
• 页数: 8页
• 分类号: O482.31|O635
• 字数: 4564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183909.1260

摘要

利用有机相法合成Nd3+掺杂CdSe纳米晶(CdSe:Nd),通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd3+已经成功掺入到CdSe的晶格中.与纯CdSe纳米晶相比,CdSe:Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球形,均匀分散,粒径约为2～4 nm.紫外吸收峰和荧光发射峰都发生红移,而且掺杂后的CdSe:Nd纳米晶量子产率也提高,这可能是由于掺杂Nd3+引入了新的杂质能级,带隙减小.为了实现CdSe:Nd纳米晶的可加工性和功能性,通过微乳法合成SiO2壳包覆的CdSe:Nd纳米球(CdSe:Nd@SiO2纳米球),CdSe:Nd@SiO2纳米球呈均匀球形,直径约为100～115 nm,并且包壳后的CdSe:Nd@SiO2纳米球发射峰(581 nm)与CdSe:Nd纳米晶(598 nm)相比,发光强度提高且发射峰蓝移,蓝移约为17 nm,可能是因为SiO2壳可以减少纳米晶表面的非辐射跃迁以及改善表面缺陷导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高俊芳	包头师范学院化学学院	22	35	3.0	5.0
2	雍胜利	包头师范学院化学学院	22	12	2.0	2.0
3	马学林	包头师范学院化学学院	26	23	3.0	3.0
4	杨峻宏	包头师范学院化学学院	2	2	1.0	1.0
5	张高峰	包头师范学院化学学院	1	1	1.0	1.0
6	段军	包头师范学院化学学院	1	1	1.0	1.0