Cl-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响

• 作者: 刘晨 朱思哲 王芝秀 谭澄宇
• 来源期刊: 矿冶工程
• 学科: 工学
• 关键词: 表面处理 粗化处理 氯离子 电结晶 镀层形貌 压延铜箔
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 119-123,127
• 页数: 6页
• 分类号: TG174
• 字数: 4242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-6099.2018.02.029

摘要

采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L CuSO4+70 g/L H2SO4酸性镀液中Cl-存在对铜沉积还原过程以及Cl-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响.研究表明,加入Cl-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3~-0.1 VSCE)下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6~-0.4 VSCE)下,Cl-则阻碍铜的结晶沉积.通过扫描电镜还观察了Cl-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl-在铜电结晶过程中的作用机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晨	中南大学材料科学与工程学院	7	25	2.0	5.0
2	谭澄宇	中南大学材料科学与工程学院	39	512	11.0	21.0
3	朱思哲	中南大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
4	王芝秀	常州大学省材料表面科学与技术重点实验室	11	53	4.0	7.0