LPCVD Si3N4工艺中副产物NH4Cl去除的研究

• 作者: 朱应强 林洪春 薛斌
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相淀积 氮化硅薄膜 颗粒 膜厚 应力
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN47
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2018.02.003

摘要

低压化学气相淀积氮化硅薄膜,是集成电路制造工艺的基础工序之一,氮化硅薄膜的颗粒度、折射率是影响薄膜质量的重要参数.低压淀积氮化硅薄膜反应过程中的副产物NH4Cl是影响氮化硅薄膜颗粒的主要因素,副产物过多导致氮化硅薄膜中产生富硅现象,使折射率高于2.0,导致腐蚀氮化硅的速率较慢,影响腐蚀效果.在CMOS集成电路标准工艺中,低压淀积Si3N4薄膜的表面颗粒直接影响LOCOS工艺鸟嘴大小、离子注入掩蔽效果;在光电产品的增透膜工步中,Si3N4薄膜的颗粒更是影响光电转换效率的主要因素.使用新工艺方法,在不改变反应温度、反应腔体尺寸的同时,调整反应气体流量、反应腔体压力,解决了氮化硅薄膜反应中副产物NH4Cl过多的问题,通过膜厚测试仪、应力测试仪的测试,曲线拟合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林洪春	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	2	1.0	1.0
2	朱应强	中国电子科技集团公司第四十七研究所	1	0	0.0	0.0
3	薛斌	中国电子科技集团公司第四十七研究所	2	0	0.0	0.0