第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展

• 作者: 万成安 唐林江 张宝林 陈滔
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: SSPS 第三代宽禁带半导体 SiC 抗辐照
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 94-100
• 页数: 7页
• 分类号: V474
• 字数: 4399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2018.02.015

摘要

第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势.文章概述了第三代半导体(SiC)器件的发展现状,介绍了国内外第三代宽禁带半导体(SiC)器件研究进展及应用情况,并展望了第三代宽禁带半导体器件在空间太阳能电站中的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈滔		5	9	2.0	2.0
2	张宝林		3	10	2.0	3.0
4	万成安		22	83	5.0	8.0
5	唐林江		4	7	2.0	2.0