强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理

• 作者: 席晓文 杨银堂 柴常春 王乾坤
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 达林顿管 高功率微波 强电磁脉冲 脉宽效应
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 67-74
• 页数: 8页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201830.170472

摘要

建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真.结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在信号的正半周,靠近达林顿管发射极的晶体管发射结边缘是最易毁伤处;EMP注入下,其损伤机理与HPM注入时的正半周时相似,器件内部峰值温度一直上升,易毁伤部位与HPM注入时相同.得到了损伤功率阈值和损伤能量阈值与损伤脉宽的关系,这两种干扰注入下的损伤能量阈值-脉宽关系和损伤功率阈值-脉宽关系公式相似,并且在相同脉宽下,HPM注入下的损伤能量阈值大于EMP注入下的损伤能量阈值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	柴常春	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	80	592	15.0	19.0
3	席晓文	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	35	2.0	3.0
4	王乾坤	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	1	1.0	1.0