双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

• 作者: 任兴荣 席晓文 杨银堂 柴常春 马振洋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极晶体管 强电磁脉冲 器件损伤 损伤功率
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8118-8124
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区一外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	柴常春	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	80	592	15.0	19.0
3	任兴荣	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	4	93	4.0	4.0
4	马振洋	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	69	3.0	3.0
5	席晓文	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	35	2.0	3.0