Variety of Energy Deposit in Sensitive Volume of a 65 nm 3D SRAM Cell for Different Proton Energy

• 作者: Cai Chang Hou Mingdong Ji Qinggang Liu Jie Liu Tianqi Luo Jie Mo Lihua Sun Youmei Ye Bing Zhao Peixiong
• 来源期刊: 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM upset integration
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 108-108
• 页数: 1页
• 分类号: TP3

摘要

Since Heidel et al.have found that low-energy protons can significantly cause single event upset in nano