美国研究人员采用调制掺杂技术显著提高氧化镓中的电子迁移率，氧化镓有望应用于高频通信系统和高能效电力电子等领域

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 美国俄亥俄州立大学 高频通信系统 电子迁移率 电力电子 应用物理 研究人员 氧化镓 宽禁带半导体材料
• 年，卷（期）: bdtxx_2018,（3）
• 页码范围: 2-3
• 页数: 2页
• 分类号: TN914

摘要

下一代高能效电力电子、高频通信系统和固态照明均依赖于宽禁带半导体材料。宽禁带材料电路的功率密度可以比硅电路更高，功耗更低。应用物理快报（Applied Physics Letters）报道的新实验中，美国俄亥俄州立大学、空军研究实验室等单位的研究人员已经表明，氧化镓（Ga2O3）宽禁带半导体可以设计成纳米级结构，使电子在晶体结构内移动得更快，也使得Ga2O3有望成为高频通信系统和高能效电力电子等应用领域的潜在材料。