高性能976 nm宽条半导体激光芯片

• 作者: 仇伯仓 何晋国 刘文斌 汪卫敏 白雪 胡海 赵楚中 邝朗醒
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 电光转换效率 亮度 腔面灾变功率
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 激光物理
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201845.0801006

摘要

设计并制作了波长为976nm的宽条大功率半导体激光芯片.采用非对称宽波导外延结构设计及金属有机化学气相外延技术生长了低损耗、高效率的外延材料.制备了190μm发光区宽度、4mm腔长、976nm波长的半导体激光芯片, 并将其封装为COS器件.测试结果表明:封装器件在室温下的阈值电流为1.05 A, 斜率效率为1.12 W/A, 最高电光转换效率可达到68.5％;在40℃、19.5 W功率输出时的电光转换效率可以达到60％;9个器件在40℃和15A电流下老化4740h后, 无一失效, 而且老化前后的功率-电流曲线和光谱没有变化, 证明该激光芯片具极高的稳定性和可靠性.