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摘要:
采用模压和真空热压烧结工艺制备了钼铌和钼钽两种钼合金靶材,以薄膜半导体-液晶显示器(TFT-LCD)无碱玻璃为衬底,磁控溅射沉积了不同厚度的钼薄膜.利用场发射扫描电镜和共聚焦显微镜表征了靶材显微组织、元素面分布以及薄膜微观形貌.借助四探针测试仪测试了薄膜的方阻值,研究了铌和钽合金化对钼薄膜导电性的影响.研究结果表明:铌、钽合金化均可细化靶材晶粒,且靶材晶粒均无明显择优取向.钼铌和钼钽两种合金靶材平均晶粒尺寸分别为70.02 μm和34.43 μm.相同溅射工艺参数下,钼铌和钼钽合金薄膜厚度分别约为200 nm和240 nm.钼铌合金薄膜平均方阻为15.68 Ω/□,钼钽合金薄膜平均方阻为22.00 Ω/□.钽合金化后,钼靶材晶粒细化更为显著,晶粒尺寸分布更加均匀,薄膜沉积速度更快,且表面粗糙度较小,导致钼钽合金薄膜方阻增长较大.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 铌钽合金化对钼合金靶材组织与薄膜结构的影响
来源期刊 河南科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 钼靶材 铌钽合金化 靶材组织 薄膜结构 方阻
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 材料科学与工程
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TG146.4+1
字数 4060字 语种 中文
DOI 10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2018.03.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 魏世忠 河南科技大学材料科学与工程学院 170 1026 15.0 22.0
5 李继文 河南科技大学材料科学与工程学院 73 409 13.0 16.0
6 付振华 河南科技大学材料科学与工程学院 1 3 1.0 1.0
10 耿宏安 1 3 1.0 1.0
11 刘刚 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
钼靶材
铌钽合金化
靶材组织
薄膜结构
方阻
研究起点
研究来源
研究分支
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相关学者/机构
期刊影响力
河南科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1672-6871
41-1362/N
大16开
河南省洛阳市开元大道263号
36-285
1980
chi
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3214
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7
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