导光管式高隔离电压光电耦合器击穿机理研究

• 作者: 李冰 杨晓花 王君 程仕波 詹萍萍 赵瑞莲
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光电耦合器 隔离电压 击穿电压 局部放电 气隙
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 174-177
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.02.006

摘要

对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿.分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算.结果表明:局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强.在采取结构与工艺措施避免气隙缺陷与导电胶渗透之后,局部放电得到消除,导光管式高隔离电压光电耦合器的最低击穿电压(VISO)从23.8kV提高到了33.5kV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冰		5	14	2.0	3.0
2	王君		4	6	2.0	2.0
3	赵瑞莲		4	4	1.0	1.0
4	詹萍萍		2	2	1.0	1.0
5	程仕波		1	2	1.0	1.0
6	杨晓花		1	2	1.0	1.0