LCD面板TFT特性相关残像研究

• 作者: 吴海龙 周焱 张智 袁剑峰 许卓 金熙哲 闵泰烨
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 残像 薄膜晶体管 交流驱动 漏电流 保持电压
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 195-201
• 页数: 7页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183303.0195

摘要

残像是影响TFT-LCD画面品质的重要因素,也是发生原因最为复杂的一种不良.本论文提出了一种定量测量残像水平的方法,同时对TFT特性引起的残像不良进行了实验研究,得到了由 TFT特性引起的交流(AC)残像发生规律及发生机理.本文通过对比研究残像画面黑白格亮度与TFT漏电流变化曲线,同时结合像素充放电计算公式进行电压差模拟,发现黑白格像素放电差异导致的像素保持电位差异(ΔV>12.5 mV)是发生残像的根本原因.根据以上机理,本论文提出了两种方法改善此类残像.第一种是通过改善TFT a-Si成膜工艺减小漏电流(<50 pA),同时提升 TFT特性的稳定性,可以减小棋盘格画面残像评价导致的TFT转移特性曲线偏移;第二种是通过改变栅压低电平,避开关态时不同显示区域的TFT漏电流差异峰值;以上两种方法均可以有效改善残像(Δ L<0.5 cd/m2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许卓	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	1	2	1.0	1.0
2	金熙哲	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	2	4	2.0	2.0
3	吴海龙	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	4	6	2.0	2.0
4	周焱	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	1	2	1.0	1.0
5	张智	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	1	2	1.0	1.0
6	闵泰烨	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	4	2	1.0	1.0
7	袁剑峰	重庆京东方光电科技有限公司产品技术部	4	4	1.0	1.0