应用于5GHz频段的宽带低噪声放大器设计

• 作者: 刘轶 吴晓文 陈晓东
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SiGeBiCMOS 低噪声放大器 无线局域网 宽带
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文

摘要

针对WILAN802.11a/ax频段和未来第五代移动通信5 GHz以上应用,设计了一款5～6 GHz的低噪声放大器(LNA),其工艺基于IBM 0.18μm SiGeBiCMOS工艺.该设计采用共发射极的两级放大结构,第一级采用射极电感负反馈,第二级采用电压并联负反馈,有效优化了噪声系数和线性度.测试结果表明在5～6 GHz频率范围内,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-14.6 dB和-12.8 dB,正向增益S21大干10.4 dB,噪声系数小于2.7 dB.在2.5V工作电压下,功耗为15 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓东	中国科学院上海高等研究院	43	350	10.0	18.0
2	吴晓文	中国科学院上海高等研究院	3	2	1.0	1.0
6	刘轶		6	9	2.0	2.0