针对抗老化门替换技术的关键门识别算法

• 作者: 丁力 吴清焐 张姚 易茂祥 梁华国 袁诗琪
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性 门替换技术 时序分析 电路老化 关键门
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 411-416
• 页数: 6页
• 分类号: TN407
• 字数: 6795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2018.03.006

摘要

为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确预测电路NBTI老化.然后,提出了一种门替换技术应用下的关键门识别算法,定义了表征门电路抗NBTI老化能力的度量公式,将其作为电路老化关键门的识别依据,用于提高关键门识别精度和效率.基于45 nm PTM工艺库和ISCAS85基准电路的仿真结果表明,应用改进门替换技术进行电路抗NBTI老化设计得到的电路时延退化改善率平均值为25.11％,较现有方案提高13.24％,而反映硬件开销的平均门替换率仅为5.82％,明显低于现有方案的11.95％.因此,所提方案仅以较低的硬件开销便可获得较好的门替换技术抗老化效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁华国	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	192	1611	19.0	30.0
2	易茂祥	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	109	559	12.0	19.0
3	吴清焐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	3	1	1.0	1.0
4	丁力	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	8	1	1.0	1.0
5	袁诗琪	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	0	0.0	0.0
6	张姚	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	4	7	2.0	2.0