多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应

• 作者: 周瑞云 易茂祥 黄正峰
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 负偏置温度不稳定性 电路老化 关键门 时延约束 影响因数 门替换
• 年，卷（期）: 2018,（22）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: TN710.2-34|TP331
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2018.22.028

摘要

随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性.为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,文中提出时延约束、路径约束和考虑非门的可防护性约束的多约束下,通过计算门的影响因数的大小来寻找定位关键门集合,用门替换的方法来防护关键门.通过实验进行证明,文中提出的方法不仅识别出的关键门数量少,且更加精准,老化的时延改善率更高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄正峰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	101	590	14.0	19.0
2	易茂祥	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	109	559	12.0	19.0
3	周瑞云	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	0	0.0	0.0