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摘要:
当晶体管的特征尺寸减小到45 nm时,电路的可靠性已经成为影响系统设计一个关键性因素.负偏压温度不稳定性(NBTI)和泄露功耗引起的电路可靠性现象的主要原因,导致关键门的老化加重,关键路径延迟增加,最终使得芯片失效,影响系统的正常工作.为了缓解NBTI效应和泄露功耗对电路可靠性的影响,延长电路的使用寿命,文中提出了循环向量方法进行协同优化.在ISCAS85基准电路,利用本方法协同优化实验,NBTI效应平均延迟相对改善了10%,泄漏功耗平均降低了15%,证明了循环向量方法的可行性.
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文献信息
篇名 基于循环向量协同优化电路的NBTI效应和泄漏功耗
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 模型电路可靠性 老化效应 负偏压温度不稳定性 输入向量控制 泄露功耗
年,卷(期) 2019,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 74-77
页数 4页 分类号 TP302
字数 2859字 语种 中文
DOI 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.06.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 石奇琛 哈尔滨理工大学软件与微电子学院 1 0 0.0 0.0
2 张嘉洋 哈尔滨理工大学软件与微电子学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
模型电路可靠性
老化效应
负偏压温度不稳定性
输入向量控制
泄露功耗
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
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