电场驱动HgCdTe/CdTe量子阱拓扑相变引起的光吸收增强研究

• 作者: 李俊 李成 黄蓉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 拓扑相变 量子阱 光吸收
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 648-653
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.009

摘要

HgTe/CdTe量子阱是研究拓扑绝缘体新奇物性的一个很好载体.采用Kane八带k·p模型,对电场驱动Hg1-xCdxTe/CdTe量子阱拓扑相变及其相变前后的光吸收性质进行了研究,并使用BHZ模型对吸收系数进行了解析计算和分析.结果表明:在电场能够驱动Hg1-xCdxTe/CdTe量子阱拓扑相变后继续增大电场,其能带可变为墨西哥帽形状,联合态密度将会增强,导致光吸收相比于无电场时显著增强,与解析计算结果相吻合.对于平行界面偏振光(TE)吸收曲线在带边还形成了双峰结构.文章结果可用于新型红外光电探测器、激光器以及频率选择器等量子阱器件的研究和设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	厦门大学物理系	45	140	7.0	11.0
2	李俊	厦门大学物理系	9	65	5.0	8.0
3	黄蓉	厦门大学物理系	4	0	0.0	0.0