碳化硅MOSFET电路模型及其应用

• 作者: 刘航志 周郁明 杨婷婷 王兵
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 界面陷阱 迁移率 泄漏电流 短路
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 97-101,129
• 页数: 6页
• 分类号: TN23|TN386.1
• 字数: 3709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2018.03.018

摘要

建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型,并用能够反映碳化硅/氧化层界面特性的迁移率模型替换常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型中的常数迁移率.有关文献的实验数据验证了所建立的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型的准确性.与常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型相比,文中的电路模型能较为准确地模拟出碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层泄漏电流和短路失效现象.另外,该模型还可以用于讨论碳化硅/氧化层界面陷阱对工作在短路状态下的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王兵	安徽工业大学电气与信息工程学院	18	16	2.0	3.0
2	周郁明	安徽工业大学电气与信息工程学院	15	19	2.0	3.0
3	刘航志	安徽工业大学电气与信息工程学院	6	10	2.0	3.0
4	杨婷婷	安徽工业大学电气与信息工程学院	4	8	2.0	2.0