老炼后真空灭弧室触头表面击穿位置分布研究

• 作者: 刘畅 姚晓飞 张伟 李仁峰 李小钊 翟小社
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: 真空灭弧室 触头表面 纳秒级连续脉冲 击穿位置
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 81-86
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2018.06.012

摘要

文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭孤室触头表面击穿位置分布的影响.采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪(CCD),研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响.研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭孤室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中.此外,触头表面不平衡度对脉冲电压击穿位置具有显著影响,随触头表面不平衡度的提升,击穿位置呈加剧集中,且集中点μ趋向于触头边缘间隙h较小的一侧.