化学浴沉积法制备ZnO纳米线的形貌分析

• 作者: 何欢 刘宇伦 唐子媚 杨文婷 沈晓明 符跃春 莫观孔 赵琦 鲁姣 黄瀛
• 来源期刊: 广西大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米线 化学浴法(CBD) 长径比 种子层
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 2455-2461
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13624/j.cnki.issn.1001-7445.2018.2455

摘要

为了制备垂直排列长径比高的ZnO纳米线,首先采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同温度的掺锡氧化铟(ITO)透明导电玻璃衬底上制备一层ZnO种子层,然后用化学浴沉积法(CBD)在已制备了种子层的衬底上生长ZnO纳米线,同时系统地研究了不同生长条件对ZnO纳米线生长行为的影响,并使用扫描电子显微镜和原子力显微镜对其形貌﹑生长特征等进行了测试和表征.结果表明,在衬底温度为200℃的ITO衬底上沉积的ZnO种子层具有良好的结晶性.当生长时间为9 h,水浴温度为95℃,聚乙烯亚胺(PEI)浓度为4.5 mmol/L时,通过CBD法生长的ZnO纳米线呈六角形状垂直排列于具有种子层的ITO基片上,长径比高达20.56.