臭氧氧化抗P ID晶硅太阳电池减反射膜分析

• 作者: 冯帅臣 司志华 杨东 马新尖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PC1D 臭氧氧化 减反射膜 太阳电池 PID
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 189-193
• 页数: 5页
• 分类号: TN36
• 字数: 3916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.031

摘要

通过PC1D模拟和实验的方法分析了经臭氧氧化的和未经臭氧氧化具有抗PID效应的氮化硅减反射膜单晶硅太阳电池的反射率、外量子效率和电学特性.模拟结果表明,经臭氧氧化的氮化硅减反射膜的减反射效果和外量子效率优于未经臭氧氧化的氮化硅减反射膜减反射效果和外量子效率.实验测试表明,反射率测试与模拟结果一致;相比未经臭氧氧化的氮化硅减反射膜晶硅太阳电池,经臭氧氧化的氮化硅减反射膜太电池其短路电流、填充因子和转换效率分别增加了6 mA、0.03%和0.04%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	司志华	拉萨师范高等专科学校信息技术系	19	11	2.0	2.0
2	马新尖	拉萨师范高等专科学校信息技术系	8	2	1.0	1.0
3	杨东	拉萨师范高等专科学校信息技术系	15	11	2.0	2.0
4	冯帅臣		2	1	1.0	1.0