基于双曲函数的双忆阻器混沌电路多稳态特性分析

• 作者: 曹弋 王恩荣 王珠林 闵富红
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 多稳态特性 动力学行为 混沌系统
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 486-494
• 页数: 9页
• 分类号: TP271
• 字数: 2849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.031

摘要

基于经典蔡氏混沌振荡电路,引入一种双曲余弦函数的新型磁控忆阻器模型,设计含有两个双曲余弦忆阻器的混沌电路系统,讨论了系统平衡点集面的稳定区间.选择不同的忆阻初始值进行数值仿真,通过分岔图与Lyapunov指数谱研究双曲忆阻混沌系统的多稳态特性.结果表明,含双曲函数的双忆阻混沌电路具有复杂的动力学行为,运动轨迹不仅依赖于电路参数,还受电路的初始状态影响,由此产生了不同拓扑结构的混沌吸引子与不同周期运动的多稳态隐藏吸引子共存现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵富红	南京师范大学电气与自动化工程学院	61	523	13.0	21.0
2	王恩荣	南京师范大学电气与自动化工程学院	46	452	12.0	19.0
3	曹弋	南京师范大学电气与自动化工程学院	11	39	3.0	6.0
4	王珠林	南京师范大学电气与自动化工程学院	3	33	2.0	3.0