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GeC film with high substitutional carbon concentration formed by ion implantation and solid phase epitaxy for strained Ge n-MOSFETs
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摘要：
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| 篇名 | GeC film with high substitutional carbon concentration formed by ion implantation and solid phase epitaxy for strained Ge n-MOSFETs | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | GeC film with high substitutional carbon concentration ion implantation | ||
| 年，卷（期） | 2018,（6） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 255-257 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TP2 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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中国科学
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CN 11-1789/N
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