半氢化石墨烯与单层氮化硼复合体系的电子结构和磁性的调控

• 作者: 王晓春 郑福昌 高潭华
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 半氢化石墨烯与单层氮化硼 电子结构与磁性调控 异质结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2018,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 304-312
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180538

摘要

采用密度泛函理论第一性原理的PBE-D2方法,对半氢化石墨烯与单层氮化硼(H-Gra@BN)复合体系的结构稳定性、电子性质和磁性进行了系统的研究.计算了六种可能的堆叠方式,结果表明:H-Gra@BN体系的AB-B构型是最稳定的,为铁磁性半导体,上、下自旋的带隙分别为3.097和1.798 eV;每个物理学原胞具有约1μB的磁矩,该磁矩主要来源于由未氢化的C2原子的贡献;在z轴方向压应力的作用下,最稳的H-Gra@BN体系的电子性质由磁性半导体转变为半金属,再转变为非磁性金属;预测了一种能方便地通过应力调控电子性质和磁性质的新型材料,有望应用在纳米器件以及智能建筑材料等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓春	吉林大学原子与分子物理研究所	2	4	1.0	2.0