沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究

• 作者: 张满红 邹其峰
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: FS-IGBT SentaurusTCAD 结构仿真 电学特性 性能影响 导通电压
• 年，卷（期）: 2018,（14）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN386-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2018.14.002

摘要

沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗.主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IG-BT进行工艺与电学特性仿真,通过改变不同部分的参数,如栅极的长宽,N型漂移区的厚度,P-base区的注入剂量及能量等,研究对其性能的影响.结果表明栅极的长宽和漂移区厚度的增加会使BV变大,场截止层电阻率的增加会使导通电压变小,阈值电压会随着P-base区的注入剂量及能量的变大而变大.通过仿真结果得到了结构参数对器件性能的影响,为FS-IGBT的设计提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张满红	华北电力大学现代电子科学研究所	4	1	1.0	1.0
2	邹其峰	华北电力大学现代电子科学研究所	1	1	1.0	1.0