铝线键合工艺对FS-IGBT器件耐压及漏电特性的影响

• 作者: 刘勇强 敖利波 梁赛嫦 江伟
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 铝线键合 绝缘栅双极型晶体管 耐压 漏电
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-4706.2018.12.014

摘要

随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大.芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺.本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(Trench-FS IGBT)的键合技术.通过多次验证实验,深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响,并得出结论:器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁赛嫦	珠海格力电器股份有限公司通信技术研究院	3	0	0.0	0.0
2	江伟	珠海格力电器股份有限公司通信技术研究院	3	0	0.0	0.0
3	敖利波	珠海格力电器股份有限公司通信技术研究院	3	0	0.0	0.0
4	刘勇强	珠海格力电器股份有限公司通信技术研究院	1	0	0.0	0.0