内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较

• 作者: 亢宝位 吴郁 张彦飞 游雪兰 胡冬青 贾云鹏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 内透明集电极 ITC-IGBT PT-IGBT FS-IGBT
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 529-533
• 页数: 5页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 4027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.012

摘要

首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	亢宝位	北京工业大学电子信息与控制工程学院	28	291	10.0	16.0
3	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
4	贾云鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	16	107	7.0	9.0
5	张彦飞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	58	2.0	2.0
6	游雪兰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	58	2.0	2.0