半导体Co3O4材料的气敏特性研究

• 作者: 刘文 张中伟 王绍菲 邵明辉
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: Co3O4纳米材料 掺杂 气敏
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料·工程
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TB383.1
• 字数: 1706字
• 语种: 中文

摘要

Co3O4材料本身是一种十分有气敏开发潜力的P型半导体材料,作为气敏传感材料,Co3O4存在着选择性不明显、响应时间长、操作温度高等局限性,为此引入半导体氧化物的协同机制,利用不同组分比的复合物质对C o3O4及其半导体氧化物掺杂后的异质结构进行共修饰,来打破这些局限性,提高Co3O4纳米的气敏特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵明辉	济南大学物理科学与技术学院	13	22	3.0	4.0
2	张中伟	济南大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
3	王绍菲	济南大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
4	刘文	济南大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0