氧化铝陶瓷金属化层温度问题新思考

• 作者: 陈文鸽
• 来源期刊: 中国科技投资
• 关键词: 氧化铝陶瓷 金属化 工艺条件 数值模拟
• 年，卷（期）: 2018,（15）
• 所属期刊栏目: 理论广角
• 页码范围: 381
• 页数: 1页
• 字数: 919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5811.2018.15.351

摘要

陶瓷金属化质量的影响因素非常多,温度是其中一项较为重要的参数.现在微电子技术的发展水平不断提高,电子器件功率越来越高,密度越来越大,功能越来越多,但这也就无法避免其工作中产生热量.陶瓷在电路中应用首先需要进行金属化处理,就是在陶瓷表面敷设一层金属薄膜,要求其能紧密粘接在陶瓷表面,具有导电性,再使用焊接工艺让其和金属导电层融为一体.但是由于焊接工艺还存在一定的问题,导致金属化强度差、致密度不足并且易氧化等等,给其使用寿命造成了严重影响.

作者信息

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1	陈文鸽		1	0	0.0	0.0